文档名：碳化硅晶片绿色高效抛光工艺研究
碳化硅作为新一代高效节能半导体衬底材料,其表面必须得到高质量抛光才能应用,本文针对现有抛光方法效率低、有污染、损伤大等问题,提出一种光催化辅助化学机械抛光碳化硅晶片的绿色高效方法.该方法利用纳米二氧化钛颗粒在紫外光照射条件下产生具有较强氧化性羟基自由基将碳化硅氧化,然后,以机械的方式去除.首先,通过正交试验研制具有高效光催化作用的抛光液.然后,优化两个抛光阶段的研磨与抛光工艺.结果表明,采用金刚石磨料精研磨表面粗糙度为46nm,材料去除率为2.899μm·h-1;光催化辅助化学机械抛光后碳化硅表面粗糙度达到了1.6nm.
作者：何艳苑泽伟张幼军杜海洋
作者单位：沈阳工业大学机械工程学院,沈阳110870
母体文献：2016年中国(国际)光整加工技术及表面工程学术会议暨2016年中国光整加工技术产学研协调发展论坛论文集
会议名称：2016年中国(国际)光整加工技术及表面工程学术会议暨2016年中国光整加工技术产学研协调发展论坛
会议时间：2016年8月1日
会议地点：辽宁鞍山
主办单位：中国机械工程学会
语种：chi
分类号：TB3TQ4
关键词：碳化硅晶片 抛光工艺 光催化 表面粗糙度
在线出版日期：2017年12月8日
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