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InN纳米线的制备与表征 - 第十七届全国高技术陶瓷学术年会.pdf

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2025-12-14 21:51 | 查看全部阅读模式

论文《InN纳米线的制备与表征》介绍了通过化学气相沉积法成功制备了InN纳米线，并对其结构和光学性质进行了系统表征。研究结果表明，所制备的InN纳米线具有良好的结晶性和优异的光致发光特性，为氮化铟在光电子器件中的应用提供了实验基础。

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表征, 年会, 高技术, 纳米, 陶瓷

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