βSiC001晶面小分子吸附的第一性原理研究

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采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N2、O2、CO小分子的超晶胞进行计算.结果发现:0K且忽略原子弛豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N2外,其他小分子均可以吸附在β-SiC(001)的Si表面上,且随着吸附位置的改变,小分子键长均会发生改变,其中O2形变最大;从吸附能量角度来看,O2在β-SiC(001)Si表面的吸附能力最强,其次是H2,最后是CO.
作者：程萍李永平屈卫清
作者单位：宁波大红鹰学院浙江宁波315175
母体文献：宁波市第十届学术大会论文集
会议名称：宁波市第十届学术大会  
会议时间：2018年10月1日
会议地点：宁波
主办单位：宁波市科协
语种：chi
分类号：TB3TQ1
关键词：电子器件  碳化硅晶体  表面吸附  分子模型
在线出版日期：2021年8月24日
基金项目：
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2024-12-3 03:10 上传 βSiC001晶面小分子吸附的第一性原理研究.pdf

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