Cu掺杂的ZnO纳米棒阵列膜的结构与阻变性能

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以Cu掺杂的ZnO(Cu:ZnO,CZO)薄膜(thinfilm,TF)为缓冲层、以水热法制备了CZO纳米棒阵列膜(nanorodsfilm,NRF),研究了CZONRF的结构与阻变特性.少量Cu2+添加可促进纳米棒的结晶及沿c轴取向生长,补偿本征缺陷.所制备的CZONRF/CZOTF双层器件具有双极性阻变特性,限制电流对其Ⅰ-Ⅴ特性和保持特性影响较大,限制电流较小时,器件的开关比会降低.当Icc分别为10和1mA时,开关比的平均值分别为7460和45.与CZOTF单层器件相比,SET电压分布和高(HRS)低(LRS)阻值的稳定性均获得明显改善,VSET分布在+0.3～1.55V之间,HRS≈7.05×105～2.1×106Ω,LRS≈134Ω.CZO纳米棒为导电细丝的形成提供了大量氧空位,使导电细丝排列整齐、尺寸更均匀,降低了导电细丝形成的随机性.
作者：花浩镪何新华符小艺
作者单位：华南理工大学,广东广州510641
母体文献：2018全国溶胶-凝胶学术研讨会暨国际论坛论文集
会议名称：2018全国溶胶-凝胶学术研讨会暨国际论坛  
会议时间：2018年10月17日
会议地点：西安
主办单位：中国硅酸盐学会
语种：chi
分类号：
关键词：阻变存储器  氧化锌纳米棒阵列膜  水热法  掺杂工艺  铜离子  阻变特性
在线出版日期：2022年3月9日
基金项目：
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2024-12-1 18:58 上传 Cu掺杂的ZnO纳米棒阵列膜的结构与阻变性能.pdf

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