GBT 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
Nanotechnologies-Electricaloperatingparametertestspecificationofwaferlevelnano-scalephasechangememorycells

摘要:本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm～300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

标准编号：GB/T33657-2017
标准类型：GB
发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2017年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2017年1月1日
关键词：

GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范.pdf

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