会议论文《超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究》探讨了在高辐射环境下SOI MOS器件的性能变化。研究通过实验分析了不同辐射剂量对器件电学特性的影响，揭示了辐射导致的阈值电压漂移和跨导退化等现象。该成果为航天与核工业领域中电子器件的抗辐射设计提供了理论依据和技术支持。
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