会议论文《质子SEU率计算模型及其对比》探讨了质子引起的单粒子效应（SEU）率的计算方法，分析了不同模型在预测SEU率方面的准确性与适用性。该研究对中国电子学会第十四届青年学术年会中的相关课题进行了深入交流，为提高电子设备抗辐射能力提供了理论支持和技术参考。
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