硅漂移探测器的制作工艺及特性研究 - 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会.pdf

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2026-1-12 17:00 | 查看全部 阅读模式

会议论文《硅漂移探测器的制作工艺及特性研究》发表于第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会。该文详细介绍了硅漂移探测器的制造流程,包括掺杂、光刻和金属化等关键步骤,并分析了其电学性能和能量分辨率。研究结果对提升探测器的灵敏度和稳定性具有重要意义,为核物理和高能物理实验提供了理论支持和技术参考。

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硅漂移探测器的制作工艺及特性研究 - 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会
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