会议论文《热处理对晶体硅电池PECVD a-SiNz∶H薄膜氢钝化效果的影响》探讨了热处理工艺对a-SiNz∶H薄膜氢钝化效果的影响。研究通过改变热处理温度和时间，分析其对薄膜结构及氢含量的影响，进而评估对晶体硅电池性能的改善作用。结果表明，适当的热处理能有效提高氢钝化效率，减少界面缺陷，提升电池转换效率。该研究为优化晶体硅电池的钝化工艺提供了理论依据和技术支持。
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