氧气含量对脉冲反应溅射ZrO2薄膜介电性能的影响 - 2008中国平板显示学术会议.pdf

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2026-1-12 15:10 | 查看全部 阅读模式

2008年中国平板显示学术会议上,一篇会议论文探讨了氧气含量对脉冲反应溅射制备ZrO2薄膜介电性能的影响。研究通过调节氧气比例,分析其对薄膜结构和介电常数的影响,结果表明氧气含量显著影响薄膜的致密性和介电性能,为优化ZrO2薄膜的制备工艺提供了理论依据。

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氧气含量对脉冲反应溅射ZrO2薄膜介电性能的影响 - 2008中国平板显示学术会议
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