一种体二极管优化的VDMOS新结构 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会.pdf

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2026-1-12 08:29 | 查看全部 阅读模式

会议论文《一种体二极管优化的VDMOS新结构》提出了一种改进的VDMOS器件结构,旨在优化体二极管性能。该结构通过调整掺杂分布和几何设计,有效降低了导通损耗并提高了开关速度。研究结果表明,该方法能显著改善器件的静态和动态特性,对提高功率半导体器件性能具有重要意义。

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一种体二极管优化的VDMOS新结构 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
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