会议论文《一种体二极管优化的VDMOS新结构》提出了一种改进的VDMOS器件结构,旨在优化体二极管性能。该结构通过调整掺杂分布和几何设计,有效降低了导通损耗并提高了开关速度。研究结果表明,该方法能显著改善器件的静态和动态特性,对提高功率半导体器件性能具有重要意义。
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