会议论文《A1GaN_GaN异质结构中表面态对二维电子气的影响》探讨了AlGaN/GaN异质结构中表面态对二维电子气(2DEG)特性的影响。研究通过实验与理论分析,揭示了表面态在界面处的电荷分布及对电子迁移率的影响机制,为优化氮化物基半导体器件性能提供了重要参考。
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