A1GaN_GaN异质结构中表面态对二维电子气的影响 - 第七届中国纳米科技(西安)研讨会.pdf

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2026-1-12 07:13 | 查看全部 阅读模式

会议论文《A1GaN_GaN异质结构中表面态对二维电子气的影响》探讨了AlGaN/GaN异质结构中表面态对二维电子气(2DEG)特性的影响。研究通过实验与理论分析,揭示了表面态在界面处的电荷分布及对电子迁移率的影响机制,为优化氮化物基半导体器件性能提供了重要参考。

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A1GaN_GaN异质结构中表面态对二维电子气的影响 - 第七届中国纳米科技(西安)研讨会
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