運用於砷化鎵製程之一種新型微小化、高耦合量方向耦合器的設計研究 - 2009海峡两岸三地无线电科技研讨会暨博士生学术会议.pdf

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2026-1-11 22:07 | 查看全部阅读模式

本文介紹一種新型微小化、高耦合量方向耦合器的設計，專門應用於砷化鎵製程。該耦合器透過優化結構設計，實現尺寸縮小與耦合效率提升，適用於高頻電路與光電子元件。研究針對耦合器的電磁特性進行模擬與實驗驗證，結果顯示其具有良好的性能表現與穩定性，對於提升無線通訊與射頻元件的整合度有重要價值。

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