会议论文《硅离子注入进行二氧化硅总剂量加固机理》探讨了通过硅离子注入技术提高二氧化硅材料抗总剂量辐射能力的机制。该研究针对空间电子器件在辐射环境下的可靠性问题，分析了离子注入对二氧化硅结构的影响及其加固效果，为抗辐射器件设计提供了理论依据和技术支持。
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