会议论文《氨热法生长氮化镓晶体中的流场模拟》探讨了在氨热法生长氮化镓晶体过程中，流场对晶体生长的影响。通过数值模拟方法，研究者分析了不同工艺参数下流体的流动特性，为优化生长条件提供了理论依据。该研究有助于提高氮化镓晶体的质量和生长效率，对半导体材料的发展具有重要意义。
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