会议论文《寄生P-well对VDMOS器件耐压参数的影响》探讨了在VDMOS器件中，寄生P-well结构对器件耐压性能的影响机制。研究通过仿真与实验分析，揭示了P-well参数变化对击穿电压和漏电流的显著影响，为优化VDMOS器件设计提供了理论依据和技术支持。该成果在电力电子领域具有重要应用价值，为提升器件性能提供了新思路。
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