会议论文《低压功率VDMOS的设计研究》发表于第八届中国纳米科技西安研讨会，主要探讨了低压功率VDMOS器件的设计与优化方法。文章分析了器件结构对性能的影响，提出了提高导通效率和降低开关损耗的方案，为新型功率半导体器件的发展提供了理论支持和技术参考。
文档为pdf格式，0.42MB，总共5页。
举报
