会议论文《任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维耐压模型》发表于中国电子学会第十五届青年学术年会。该文提出一种适用于不同掺杂分布的体硅横向功率器件的二维耐压模型，能够准确预测器件在不同结构下的击穿电压。研究对优化功率器件设计具有重要意义，为提高器件性能和可靠性提供了理论支持。
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