会议论文《Ti DRIE中Lag效应的基础研究》探讨了钛材料在深反应离子刻蚀（DRIE）过程中出现的Lag效应。该研究通过实验分析，揭示了Lag效应的形成机制及其对刻蚀精度的影响，为提高微电子器件制造中的刻蚀质量提供了理论依据和技术支持。
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