会议论文《SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究》发表于中国核学会2009年学术年会，主要探讨了该新型铁基超导材料的缺陷结构。通过正电子寿命谱技术，研究者分析了材料中的空位和点缺陷分布，为理解其超导机制提供了重要信息。该研究对优化材料性能和推动铁基超导体的应用具有重要意义。
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