P型DMOS工艺背面杂质影响与解决方法 - 中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛.pdf

9 0
2026-1-11 11:27 | 查看全部 阅读模式

会议论文《P型DMOS工艺背面杂质影响与解决方法》探讨了P型DMOS器件在制造过程中背面杂质对性能的影响及相应解决措施。该文针对杂质扩散和界面缺陷问题,提出优化工艺参数和改进掺杂技术的方案,以提升器件可靠性与稳定性。文章为电力电子器件的高质量制造提供了理论支持和技术参考,具有重要的工程应用价值。

文档为pdf格式,0.91MB,总共4页。

P型DMOS工艺背面杂质影响与解决方法 - 中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛
文件大小:
931.84 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1