会议论文《8K8 SOI SRAM单粒子效应实验研究》针对8K8容量的SOI SRAM器件进行了单粒子效应的实验分析。研究通过不同能量的重离子照射，评估了器件在单粒子翻转（SEU）和单粒子锁定（SEL）方面的敏感性。结果表明，该器件在特定条件下存在较高的单粒子效应风险，为高可靠性电子系统的设计提供了重要参考。
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