会议论文《高压VDMOS结终端技术研究》发表于2010年全国半导体器件技术研讨会，主要探讨了高压VDMOS器件的结终端技术。文章分析了结终端结构对器件性能的影响，提出了优化设计方法，以提高器件的击穿电压和可靠性。该研究对提升功率半导体器件的性能具有重要意义，为后续相关技术的发展提供了理论支持。
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