会议论文《非对称量子垒提高InGaN QW效率的理论模拟》发表于第七届中国国际半导体照明论坛，探讨了通过设计非对称量子垒结构来提升InGaN量子阱器件性能的理论方法。研究利用数值模拟分析了载流子分布与光子输出特性，表明非对称结构能有效抑制电子泄漏，增强辐射复合效率，为高亮度LED和激光二极管的优化提供了理论依据。
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