阴离子聚合法合成高1_2-结构含量窄分子量分布的端羟基聚丁二烯 - 第三届国际化工新材料(成都)峰会.pdf

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2026-1-11 07:07 | 查看全部 阅读模式

会议论文《阴离子聚合法合成高1_2-结构含量窄分子量分布的端羟基聚丁二烯》介绍了采用阴离子聚合方法合成具有高1,2-结构含量和窄分子量分布的端羟基聚丁二烯。该研究在第三届国际化工新材料(成都)峰会上发表,展示了通过精确控制聚合条件,提高产物性能和应用价值的新途径。

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阴离子聚合法合成高1_2-结构含量窄分子量分布的端羟基聚丁二烯 - 第三届国际化工新材料(成都)峰会
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