会议论文《硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响》探讨了硅膜厚度对SOI NMOS器件静电放电（ESD）性能的影响。研究通过实验和仿真分析，揭示了不同硅膜厚度下器件的ESD耐受能力变化规律，为优化SOI器件设计提供了理论依据和技术支持。
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