会议论文《真空区熔技术制备探测器级硅单晶工艺研究》发表于中国有色金属学会第八届学术年会，探讨了利用真空区熔法生产高纯度硅单晶的工艺过程。该研究针对探测器级硅单晶的性能要求，分析了生长条件对晶体质量的影响，旨在提高材料的均匀性和纯度，为高性能半导体器件提供优质的原材料。
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