会议论文《用于GaN外延薄膜生长的缓冲层》发表于2010年中国材料研讨会，主要探讨了在GaN外延薄膜生长过程中缓冲层的作用与优化方法。文章分析了不同缓冲层材料对薄膜质量的影响，提出了提高晶体质量与降低缺陷密度的有效策略，对氮化镓半导体器件的发展具有重要意义。
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