会议论文《琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征》介绍了通过MOCVD技术制备琥珀色InGaN基多量子阱的过程,并对其光电性能进行了详细表征。研究重点分析了材料结构与发光特性之间的关系,为实现高效琥珀色LED提供了理论依据和技术支持。
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