2010年全国半导体器件技术研讨会的会议论文《提高双沟道SiC MESFET性能的双缓冲层结构研究》，探讨了通过引入双缓冲层结构来改善双沟道SiC MESFET的电学性能。该研究旨在降低器件的导通电阻，提升载流子迁移率，并优化器件的击穿电压。论文分析了双缓冲层对器件性能的影响，为高性能SiC功率器件的设计提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.4MB，总共4页。
举报
