低温下CMOS集成电荷灵敏前放噪声特性研究 - 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会.pdf

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2026-1-11 01:28 | 查看全部 阅读模式

会议论文《低温下CMOS集成电荷灵敏前放噪声特性研究》发表于第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会。该文研究了在低温环境下CMOS集成电荷灵敏前置放大器的噪声特性,分析了温度对噪声性能的影响,为提高核探测系统的信噪比和灵敏度提供了理论依据和技术支持。

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低温下CMOS集成电荷灵敏前放噪声特性研究 - 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
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