本文针对MOS器件的小尺寸效应，提出了一种三维表面势和阈值电压模型。该模型考虑了沟道区电荷分布的三维特性，能够更准确地描述短沟道效应带来的阈值电压漂移问题。研究结果为纳米尺度MOS器件的设计与优化提供了理论依据，具有重要的工程应用价值。
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