SiO2、MgCO3、SrCO3掺杂对SnO2压敏电阻的影响 - 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第十七届学术年会.pdf

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2026-1-11 00:41 | 查看全部 阅读模式

该会议论文研究了SiO2、MgCO3和SrCO3掺杂对SnO2压敏电阻性能的影响。通过实验分析,发现掺杂元素能够显著改变SnO2的微观结构和电学特性,从而优化其压敏性能。研究结果为提高压敏电阻的响应速度和稳定性提供了理论依据和技术支持,对相关电子器件的开发具有重要意义。

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SiO2、MgCO3、SrCO3掺杂对SnO2压敏电阻的影响 - 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第十七届学术年会
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