MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响 - 2010中国材料研讨会.pdf

本文研究了MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响。通过实验发现，适量的MoSi2能够有效改善R-SiC的显微结构，促进晶粒生长并减少缺陷。同时，MoSi2的加入显著降低了材料的体积电阻率，提高了其导电性能。该研究为R-SiC材料的性能优化提供了理论依据和实验支持。

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MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响 - 2010中国材料研讨会.pdf

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