会议论文《C_SiC与TC4钛合金异质连接过渡层的研究》探讨了碳化硅陶瓷与TC4钛合金之间的异质连接技术。研究重点在于优化过渡层材料和工艺，以提高两种不同性质材料间的结合强度与可靠性。该论文为真空电子器件和高温结构应用提供了重要的理论支持和技术参考。
文档为pdf格式，0.37MB，总共5页。
举报
