CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究 - 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会.pdf

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2026-1-11 00:17 | 查看全部 阅读模式

会议论文《CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究》探讨了CCD器件在不同电子辐照通量下的损伤特性。通过实验分析,研究揭示了电子辐照对CCD性能的影响机制,包括暗电流增加、响应度下降及图像质量退化等现象。该研究为提高CCD在高辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持,具有重要的应用价值。

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CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究 - 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
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