会议论文《瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响》探讨了在高剂量率电离辐射环境下，BiMOS运算放大器输出信号的扰动时间特性。研究通过实验分析了不同辐射剂量率对器件性能的影响，揭示了辐射引起的瞬时干扰机制，为提高电子设备在辐射环境下的可靠性提供了理论依据。
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