该会议论文介绍了AlN/SiC(0001)异质结的高分辨电子显微像研究。通过透射电子显微镜技术，分析了AlN薄膜在SiC衬底上的生长结构和界面特性。研究揭示了晶体缺陷、层错及界面失配的微观结构特征，为优化半导体材料的外延生长提供了重要依据。
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