一种有效的4H-SiC BJT结终端设计 - 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件.pdf

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2026-1-10 17:10 | 查看全部 阅读模式

会议论文《一种有效的4H-SiC BJT结终端设计》针对4H-SiC双极结型晶体管的结终端结构进行了深入研究。该文提出了一种优化的结终端设计方法,有效提高了器件的击穿电压和可靠性。通过仿真与实验验证,该设计在改善电场分布方面表现出色,为高性能SiC功率器件的发展提供了理论支持和技术参考。

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一种有效的4H-SiC BJT结终端设计 - 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
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