高压碳化硅MOSFET特性分析 - 中国电源学会第二十届学术年会.pdf

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2026-1-10 16:14 | 查看全部阅读模式

会议论文《高压碳化硅MOSFET特性分析》发表于中国电源学会第二十届学术年会，重点探讨了高压碳化硅MOSFET的电气特性与性能表现。文章分析了其导通损耗、开关特性及温度依赖性，为高功率电力电子应用提供了理论支持和技术参考。

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