纳米锥阵列场发射阴极模拟研究 - 中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会.pdf

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2026-1-10 15:15 | 查看全部 阅读模式

会议论文《纳米锥阵列场发射阴极模拟研究》发表于中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会。该研究通过数值模拟方法对纳米锥阵列结构的场发射性能进行了系统分析,探讨了几何参数对发射特性的影响。论文为高性能场发射阴极的设计与优化提供了理论依据,具有重要的应用价值。

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纳米锥阵列场发射阴极模拟研究 - 中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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