会议论文《反射器位置对生长大尺寸硅单晶热场影响的数值模拟》探讨了反射器位置变化对硅单晶生长过程中热场分布的影响。通过数值模拟方法，研究分析了不同反射器位置对温度梯度和热场均匀性的调控作用，为优化大尺寸硅单晶生长工艺提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.62MB，总共3页。
举报
