化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

1 0
2026-1-10 11:56 | 查看全部 阅读模式

会议论文《化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成》探讨了在化学刻蚀过程中硅材料内部的电荷转移机制及其对纳米结构形成的影响。该研究为理解半导体材料的微纳加工提供了理论依据,对推动半导体器件技术的发展具有重要意义。

文档为pdf格式,0.08MB,总共2页。

化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
文件大小:
81.92 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1