会议论文《Si_SiO2界面的原子结构模型研究》探讨了硅与二氧化硅界面的原子级结构，分析了其对半导体器件性能的影响。该研究通过理论模拟与实验验证相结合的方法，提出了更为精确的界面结构模型，为提高集成电路的可靠性和性能提供了重要依据。
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