会议论文《AlGaN_GaN基多量子阱ISBT红外探测器的研究进展》介绍了基于AlGaN/GaN多量子阱结构的红外探测器最新研究。该文探讨了ISBT（中间带隙跃迁）机制在提升探测器性能中的应用，分析了材料生长、能带设计及器件结构优化对响应特性的影响，为高性能宽谱段红外探测技术提供了理论支持与实验依据。
文档为pdf格式，0.22MB，总共4页。
举报
