AlN_GaN异质结材料与器件中的散射机理研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 10:37 | 查看全部阅读模式

会议论文《AlN_GaN异质结材料与器件中的散射机理研究》探讨了AlN/GaN异质结中载流子散射机制，分析了界面粗糙度、杂质和晶格失配等因素对电子迁移率的影响。研究为提高GaN基器件性能提供了理论依据，对半导体器件技术发展具有重要意义。

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