900V半超结VDMOS元胞的仿真设计 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

会议论文《900V半超结VDMOS元胞的仿真设计》探讨了高耐压功率器件的设计与优化。通过仿真方法对半超结VDMOS结构进行分析，研究其电场分布和击穿特性，旨在提高器件性能与可靠性。该研究为大功率半导体器件的发展提供了理论支持和技术参考。

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900V半超结VDMOS元胞的仿真设计 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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