40nm工艺15R_12W寄存器文件设计 - 第19届全国信息存储技术学术会议.pdf

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2026-1-10 10:32 | 查看全部 阅读模式

会议论文《40nm工艺15R_12W寄存器文件设计》介绍了基于40nm工艺的寄存器文件设计方法。该设计采用15个读端口和12个写端口结构,优化了电路性能与功耗。通过合理布局与时序分析,提升了芯片整体效率。该研究对高性能计算领域具有重要参考价值。

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40nm工艺15R_12W寄存器文件设计 - 第19届全国信息存储技术学术会议
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