会议论文《0.18μm MOS晶体管1_f噪声总剂量效应》探讨了在辐射环境下，0.18μm工艺MOS晶体管的1/f噪声特性变化。研究通过实验分析了总剂量效应对其电学性能的影响，揭示了辐射对器件噪声行为的作用机制，为高可靠性电子系统设计提供了理论依据。
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