会议论文《GaN基HEMT器件可靠性研究》探讨了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在不同工作条件下的可靠性问题。文章分析了器件在高温、高电压和长时间运行下的性能退化机制，提出了提高可靠性的技术路径。该研究对推动GaN器件在高频、高功率应用中的发展具有重要意义。
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